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Infineon Technologies CoolSiC? 650V G2 MOSFET
來源: | 作者:communications-100 | 發(fā)布時間: 2014-10-15 | 567 次瀏覽 | 分享到:

Infineon Technologies

Infineon Technologies CoolSiC? 650V G2 MOSFET   

Infineon Technologies CoolSiC? 650V G2 MOSFET可通過降低能耗來充分利用碳化硅的性能，從而在功率轉(zhuǎn)換過程中實現(xiàn)更高效率。 英飛凌CoolSiC 650V G2 MOSFET適用于各種功率半導(dǎo)體應(yīng)用，如光伏、能量存儲、電動汽車直流充電、電機驅(qū)動器和工業(yè)電源。配備CoolSiC G2的電動汽車用直流快速充電站與前幾代產(chǎn)品相比，功耗降低了10%,同時實現(xiàn)更高的充電容量，且不影響外形尺寸。

特性

  • 靈活的驅(qū)動電壓，兼容雙極驅(qū)動方案

  • 基準柵極閾值電壓，VGS(th) =4.5V

  • 即使在0V關(guān)斷柵極電壓下，也能防止寄生導(dǎo)通

  • 超低開關(guān)損耗

  • 在硬換向事件下可靠運行體二極管

  • .XT互連技術(shù)，實現(xiàn)同類最佳的散熱性能

應(yīng)用

  • SMPS

  • 太陽能光伏逆變器

  • 能量存儲和電池形成

  • UPS

  • 電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施

  • 電機驅(qū)動器

Infineon Technologies CoolSiC? 650V G2 MOSFET