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Infineon Technologies CoolSiC? 650V G2 MOSFET
來源:
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作者:communications-100
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發(fā)布時間: 2014-10-15
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Infineon Technologies CoolSiC? 650V G2 MOSFET 
Infineon Technologies CoolSiC? 650V G2 MOSFET可通過降低能耗來充分利用碳化硅的性能，從而在功率轉(zhuǎn)換過程中實現(xiàn)更高效率。 英飛凌CoolSiC 650V G2 MOSFET適用于各種功率半導(dǎo)體應(yīng)用，如光伏、能量存儲、電動汽車直流充電、電機驅(qū)動器和工業(yè)電源。配備CoolSiC G2的電動汽車用直流快速充電站與前幾代產(chǎn)品相比，功耗降低了10%,同時實現(xiàn)更高的充電容量，且不影響外形尺寸。特性
靈活的驅(qū)動電壓，兼容雙極驅(qū)動方案
基準柵極閾值電壓，VGS(th) =4.5V
即使在0V關(guān)斷柵極電壓下，也能防止寄生導(dǎo)通
超低開關(guān)損耗
在硬換向事件下可靠運行體二極管
.XT互連技術(shù)，實現(xiàn)同類最佳的散熱性能
應(yīng)用
SMPS
太陽能光伏逆變器
能量存儲和電池形成
UPS
電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施
電機驅(qū)動器
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