Infineon Technologies CoolSiC? MOSFET 650V 
Infineon Technologies CoolSiC? MOSFET 650V將碳化硅的物理強(qiáng)度與增強(qiáng)器件性能、可靠性和易用性的特性相結(jié)合。CoolSiC? MOSFET采用先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝，應(yīng)用損耗極低，運(yùn)行可靠性極高。CoolSiC非常適合在高溫和惡劣環(huán)境應(yīng)用中使用。特色產(chǎn)品
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英飛凌的各種柵極驅(qū)動(dòng)器IC產(chǎn)品補(bǔ)充了SiC分立式產(chǎn)品，為超快SiC MOSFET開(kāi)關(guān)提供了完美的解決方案。通過(guò)將CoolSiC MOSFET和EiceDRIVER?柵極驅(qū)動(dòng)器IC結(jié)合使用，SiC技術(shù)可以提高效率、節(jié)省空間和重量、減少元件數(shù)量并提高系統(tǒng)可靠性。
一系列柵極驅(qū)動(dòng)器IC，用于CoolSiC MOSFET 650V，采用定制的UVLO電平保護(hù)SiC MOSFET
1EDB9275F
1EDB6275F
1EDN9550B
1EDN6550B
2EDF9275F
2EDS9265H
英飛凌CoolSiC? MOSFET 650V采用TO-247 3引腳、TO-247 4引腳和D2PAK 7引腳封裝類(lèi)型。
得益于.XT互連技術(shù)，可用于CoolSiC?MOSFET分立式封裝，從而增強(qiáng)系統(tǒng)功率密度。英飛凌的擴(kuò)散焊接工藝在芯片和散熱器之間建立了強(qiáng)大的熱連接，從而使散熱量增加了30%，工作溫度降低高達(dá)15K，從而延長(zhǎng)了使用壽命。
特性
換向穩(wěn)健快速體二極管，具有低反向恢復(fù)電荷（Qrr）
更高電流下優(yōu)化的開(kāi)關(guān)行為
低電容
領(lǐng)先的溝槽技術(shù)，具有出色的柵極氧化物可靠性
.XT互連技術(shù)，實(shí)現(xiàn)同類(lèi)最佳的散熱性能
出色的雪崩耐受能力
搭配標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)器
更高電流下優(yōu)化的開(kāi)關(guān)行為
高性能、高可靠性且簡(jiǎn)單易用
可實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和功率密度
降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性
可實(shí)現(xiàn)更便宜、更簡(jiǎn)單、更小的系統(tǒng)
采用具有連續(xù)硬換向功能的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
適合高溫和惡劣工作環(huán)境
支持雙向拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
應(yīng)用
服務(wù)器
電信
SMPS
太陽(yáng)能系統(tǒng)
儲(chǔ)能
電池形成
UPS
EV充電
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
框圖
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