Infineon Technologies CoolSiC?汽車用750V G1 SiC溝槽式MOSFET 
Infineon Technologies CoolSiC?汽車用750V G1 SiC溝槽式MOSFET可幫助電動(dòng)汽車制造商構(gòu)建具有更高效率、功率密度和可靠性的11kW和22kW雙向車載充電器。這些器件在高溫（Tjmax +175°C）下可靠工作，采用英飛凌專有技術(shù)。XT芯片連接技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)同類芯片尺寸中最佳的熱阻。CoolSiC 750V G1技術(shù)具有極高的穩(wěn)健性，特別是在宇宙輻射下，因此非常適合用于超過500V的總線電壓。由于具有出色的雜散導(dǎo)通抗擾性，這些器件可以在零伏VGS 離級(jí)電壓（單極柵極驅(qū)動(dòng)器）下安全驅(qū)動(dòng)，從而降低系統(tǒng)復(fù)雜性、PCB面積占用和BOM數(shù)量。寬柵極-源極額定電壓（-5V至23V，VGS 靜態(tài)）可確保與雙極驅(qū)動(dòng)兼容，提高設(shè)計(jì)靈活性。
CoolSiC?汽車用MOSFET 750V G1系列具有非常精細(xì)的產(chǎn)品組合，RDS(on)（+25°C典型值時(shí)）范圍為8m?至140m?，采用7引腳D2PAK和QDPAK頂部冷卻 (TSC) 封裝。JEDEC發(fā)布的QDPAK TSC封裝有助于最大限度地利用PCB空間，將功率密度增加一倍，并通過基板熱解耦增強(qiáng)熱管理。頂部冷卻封裝顯著降低了冷卻基礎(chǔ)設(shè)施的設(shè)計(jì)工作，是實(shí)現(xiàn)最高功率密度的關(guān)鍵。
特性
高度可靠的750V技術(shù)
同類最佳的RDS(on) x Qfr，可在硬開關(guān)半橋中實(shí)現(xiàn)出色的效率
RDS(on) × Qoss 和RDS(on) × Qg 的出色數(shù)字支持更高的開關(guān)頻率
低Crss/Ciss，高Vgsth
100% 經(jīng)雪崩測試
Infineon裸片連接技術(shù)
先進(jìn)的頂部冷卻封裝
更高可靠性
可耐受超過500V的總線電壓
可靠耐受寄生導(dǎo)通
單極驅(qū)動(dòng)
同類最佳的散熱性能
符合 RoHS 要求
應(yīng)用
車載充電器
汽車用HV-LV直流-直流轉(zhuǎn)換器
汽車用靜態(tài)開關(guān)（eFuse、BMS）
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