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IRFB4115PBF
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg
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MOSFET MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg
| 產(chǎn)品屬性 | 屬性值 | |
|---|---|---|
| Infineon | ||
| 產(chǎn)品種類: | MOSFET | |
| RoHS: | 詳細(xì)信息 | |
| Si | ||
| Through Hole | ||
| TO-220-3 | ||
| N-Channel | ||
| 1 Channel | ||
| 150 V | ||
| 104 A | ||
| 9.3 mOhms | ||
| - 20 V, + 20 V | ||
| 5 V | ||
| 77 nC | ||
| - 55 C | ||
| + 175 C | ||
| 380 W | ||
| Enhancement | ||
| Tube | ||
| 商標(biāo): | Infineon Technologies | |
| 配置: | Single | |
| 下降時(shí)間: | 39 ns | |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值: | 97 S | |
| 高度: | 15.65 mm | |
| 長(zhǎng)度: | 10 mm | |
| 產(chǎn)品類型: | MOSFET | |
| 上升時(shí)間: | 73 ns | |
| 1000 | ||
| 子類別: | MOSFETs | |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel | |
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間: | 41 ns | |
| 典型接通延遲時(shí)間: | 18 ns | |
| 寬度: | 4.4 mm | |
| 單位重量: | 2 g |
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